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Equipe do NanOLaB publica resultados sobre a influência dos estados localizados no transporte eletrônico em dispositivos bidimensionais

Durante o estágio de pós-doutorado, a pesquisadora associada ao NanOLaB, Profa. Dra. Riama Coelho Gouveia, sob supervisão do Prof. Dr. Adenilson J. Chiquito e em colaboração com demais membros da equipe, desenvolveu pesquisas envolvendo síntese e caracterizações elétricas em dispositivos de estruturas bidimensionais de MoS2. O amplo conjunto de dados obtidos inclui resultados de espectroscopia de capacitância Schottky e experimentos de corrente termicamente estimulada. As análises envolvem o mecanismo de transporte de hopping de alcance variável

bidimensional, comportamento de contato metal-semicondutor com variação da altura de barreira com a temperatura, além de densidade e  distribuição de estados localizados. Parte dos dados ainda está em análise, mas os achados mais significativos até o presente momento já foram publicados , os quais destacam o papel dos níveis de energia localizados em torno do nível de Fermi no controle da química interfacial das junções metal-semicondutor, bem como do transporte de carga global em dispositivos de MoS2 com poucas camadas.

Veja mais em: Localized States’ Role in MoS2 Few-Layer Device: A Study by Schottky Capacitance Spectroscopy and Thermally Stimulated Current, Riama Coelho Gouveia, Leonélio Cichetto, Jr.,Luciano Ferreira de Almeida, Marcio Daldin Teodoro, Adenilson José Chiquito, ACS Omega, doi.org/10.1021/acsomega.6c06145 (2026);