O desenvolvimento e o estudo de novos materiais têm permitido o aparecimento de novas tecnologias e novos dispositivos cada vez mais sofisticados e miniaturizados. No NanO Lab são desenvolvidas pesquisas com ênfase na construção de novos materiais semicondutores e dispositivos associados e no estudo das propriedades de transporte de cargas nestes sistemas. As pesquisas são desenvolvidas com o apoio da FAPESP, CNPq e Petrobrás.

:: Laboratório ::

Dispositivos baseados em redes de nanofios são bastante interessantes para aplicações (como sensores, por exemplo) devido à otimização da relação sinal-ruído. Usualmente, a resistência em semicondutores é descrita por uma dependência exponencial com a temperatura (curva de Arrhenius), mas quando há alguma desordem no sistema, o transporte de corrente é afetado drasticamente devido à localização de portadores: a dependência da resistência com a temperatura torna-se mais complicada (processos de hopping). Como ambas as dependências citadas podem ser observadas em nanofios produzidos pelo mecanismo VLS, não há uma forma de separar os que obedecem à ativação térmica daqueles que são caracterizados por hopping. Construímos um modelo para determinar a dependência da resistência com a temperatura com base na teoria de percolação para um conjunto aleatório de nanofios caracterizados por ambos os mecanismos de condução (veja a figura ao lado).

Veja mais em: The interplay between Arrhenius and hopping conduction mechanisms in a percolating nanowire network, J. Phys. D: Appl. Phys. 49 315303 (2016).

:: Notícias ::

:: Será realizada no dia 16/08/2017 a defesa pública da Dissertação de Mestrado de Eric Pizzini Bernardo, membro do NanO LaB. A banca examinadora será composta pelos professores Dr. Cleber A. de Amorim (UNESP), Dr. Marcio D. Teodoro (UFSCar) e Dr. Adenilson J. Chiquito (DF). O trabalho tem como título "Dispositivos eletrônicos baseados em nanofitas de SnO₂: construção e investigação de suas propriedades" e versa sobre a construção, caracterização e uso de dispositivos de efeito de campo baseados em nanofios.

:: Foi instalado um sistema para litografia usando a técnica de escrita direta à laser com resolução de até 0.2 micrometros no NanO LaB. Juntamente com o sistemas de litografia convencional e de litografia por feixe de elétrons, o laboratório conta agora com as mais modernas facilidades disponíveis para o desenvolvimento de dispositivos em diferentes escalas;

:: O NanO LaB agora conta com dois novos criostatos que permitem alcançar até 2 K com amostras em vapor de Hélio. Estes equipamentos, que foram projetados e desenvolvidos inteiramente pela equipe do NanO LaB, permitem trocas rápidas de amostras em qualquer temperatura;

:: Toda a rede elétrica do laboratório foi protegida com a instalação de dois no-breaks de 10 e 7,5 kVA permitindo, além da estabilização da rede, uma proteção adicional para o parque de equipamentos do NanoLaB; além disso, sistemas de filtros foram conectados à rede elétrica de forma a minimizar ruídos elétricos.