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Bem vindo!

O
desenvolvimento e o estudo de novos materiais
têm permitido o aparecimento de novas
tecnologias e novos dispositivos cada vez mais
sofisticados e miniaturizados. No NanO Lab são
desenvolvidas pesquisas com ênfase na construção
de novos materiais semicondutores e dispositivos associados e
no estudo das propriedades de transporte de
cargas nestes sistemas. As pesquisas são
desenvolvidas com o apoio da FAPESP, CNPq e
Petrobrás.
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Destaques
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:: Laboratório ::
O
semicondutor SnO2 (tipo n) é um conhecido material que
pode ser usado na fabricação de sensores de luz e
particularmente é muito eficiente na faixa do
ultravioleta (UV) tendo suas propriedades detectoras
destacadas quando na forma de nanofios. Entretanto,
existem alguns pontos fundamentais a serem investigados,
como uma anomalia na resistividade em função da
temperatura e a presença de estados meta-estáveis quando
os dispositivos estão sob iluminação. Novas ideias
apresentadas em um artigo recente permitiram um avanço
do estudo e entendimento da ação de defeitos intrínsecos
nas propriedades optoeletrônicas e de transporte em
nanofios de SnO2. Três centros emissores (vermelho,
amarelo/laranja e verde) associados à presença de
vacâncias foram detectados e investigados quanto à
influência nas propriedades de dispositivos nanométricos,
conseguindo explicar de forma satisfatória a anomalia da
resistividade dos nanofios de SnO2 em função da
temperatura.
Veja mais em:
Influence of the metastable
state (V0(++)) on the electronic
properties of SnO2 nanowires under the influence of
light,
Ivani M. Costa, Marcio D.
Teodoro, Maria A. Zaghete e Adenilson J. Chiquito,
Journal of Applied Physics 128, 115702 (2020).
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:: Notícias ::
:: As atividades no
NanOLaB estão suspensas neste ano de 2020. Apenas
manutenção operacional de alguns sistemas serão
realizadas.
:: O trabalho "Study
of persistent photoconductivity effect in SnO2
nanowire-based devices" de Ivani. M. Costa, Adryelle
N. Arantes, Estácio P. Araújo, Marcio D. Teodoro e
Adenilson J. Chiquito foi premiado com uma
menção honrosa no I Simpósio de Pesquisa e
Inovação em Materiais Funionais, realizado entre 23 e 24
de maio de 2019 na UFSCar.
:: Foi realizada
no dia 15/03/2019 a defesa pública da Tese de Doutorado
de Ivani Meneses Costa, membro do NanO LaB. A banca
examinadora foi composta pelos professores Dra. Oliva
Maria Berengue (UNESP-Guaratinguetá),
Dra. Maria Aparecida Zaghete (UNESP-Araraquara), Dr.
Valmor Masteralo (IFSC-USP), Dr. Elson Longo (DQ-UFSCar) e Dr. Adenilson J. Chiquito (DF-UFSCar). O trabalho
apresentado, "Transporte
eletrônico em nanofios de SnO2 dopado com Sb:
transição metal-isolante induzida pela dopagem e
fotocondutividade persistente" versa sobre o estudo
dos efeitos da dopagem de antimônio em nanofios de SnO2
sendo observada uma transição metal-isolante descrita
com base nos modelos de Mott e Anderson. O trabalho foi
aprovado por unanimidade.
:: Foi realizada no
10/08/2018 a defesa pública da Dissertação de Mestrado
de Gustavo Aparecido Lombardi, membro do NanOLaB. A
banca examinadora foi composta pelos professores Dra.
Maria A. Zaghete (UNESP-Araraquara), Dr. Maycon Motta
(DF-UFSCar) e Dr. Adenilson J. Chiquito (DF-UFSCar). O trabalho, "Propriedades
eletrônicas de nanofios de semicondutores de fosfeto de
zinco Zn3P2" versa sobre a
fabricação, caracterização e uso de nanofios de Zn3P2
em diferentes dispositivos, sendo aprovado
unanimidade.
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Apoio

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