NanO LaB

             Transporte eletrônico em nanoestruturas

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O desenvolvimento e o estudo de novos materiais têm permitido o aparecimento de novas tecnologias e novos dispositivos cada vez mais sofisticados e miniaturizados. No NanO Lab são desenvolvidas pesquisas com ênfase na construção de novos materiais semicondutores e dispositivos associados e no estudo das propriedades de transporte de cargas nestes sistemas. As pesquisas são desenvolvidas com o apoio da FAPESP, CNPq e Petrobrás.

 

 
Destaques

:: Laboratório ::

 

 

Dispositivos baseados em nanofios/nanofitas são têm grande potencialidade para o desenvolvimento de novas tecnologias e, em certos casos, podem otimizar  as já existentes. Os transistores de efeito de campo com nanofitas de SnO2 já são uma realidade em termos de pesquisa e desenvolvimento de sensores por exemplo. Em nosso laboratório estão sendo estudados alguns pontos fundamentais para a funcionamento de transistores, como por exemplo, a corrente de fuga que é fator limitante para a aplicações destes dispositivos. Construímos um modelo para determinar a influência da corrente de fuga no comportamento dos transistores e foi observado que dentro de certos limites, a operação do transistor é garantida. Parâmetros pertinentes relacionados ao transporte eletrônico tais como mobilidade e densidade de portadores, mecanismo de condução de corrente e altura de barreira Schottky nas interfaces metal/semicondutor também foram investigados.

 

 

 

 

Veja mais em: Dispositivos eletrônicos baseados em nanofitas de SnO2: construção e investigação de suas propriedades. Dissertação de Mestrado, Eric Pizzini Bernardo, 2017.

 

 

 

 

 

 

:: Notícias ::

:: Foi realizada no dia 16/08/2017 a defesa pública da Dissertação de Mestrado de Eric Pizzini Bernardo, membro do NanO LaB. A banca examinadora foi composta pelos professores Dr. Cleber A. de Amorim (UNESP), Dr. Marcio D. Teodoro (UFSCar) e Dr. Adenilson J. Chiquito (DF). O trabalho, "Dispositivos eletrônicos baseados em nanofitas de SnO2: construção e investigação de suas propriedades" versa sobre a construção, caracterização e uso de dispositivos de efeito de campo baseados em nanofios foi aprovado unanimidade.

:: Foi instalado um sistema para litografia usando a técnica de escrita direta à laser com resolução de até 0.2 micrometros no NanO LaB. Juntamente com o sistemas de litografia convencional e de litografia por feixe de elétrons, o laboratório conta agora com as mais modernas facilidades disponíveis para o desenvolvimento de dispositivos em diferentes escalas;

:: O NanO LaB agora conta com dois novos criostatos que permitem alcançar até 2 K com amostras em vapor de Hélio. Estes equipamentos, que foram projetados e desenvolvidos inteiramente pela equipe do NanO LaB, permitem trocas rápidas de amostras em qualquer temperatura;

:: Toda a rede elétrica do laboratório foi protegida com a instalação de dois no-breaks de 10 e 7,5 kVA permitindo, além da estabilização da rede, uma proteção adicional para o parque de equipamentos do NanoLaB; além disso, sistemas de filtros foram conectados à rede elétrica de forma a minimizar ruídos elétricos.

 

 
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