O desenvolvimento e o estudo de novos materiais têm permitido o aparecimento de novas tecnologias e novos dispositivos cada vez mais sofisticados e miniaturizados. No NanO Lab são desenvolvidas pesquisas com ênfase na construção de novos materiais semicondutores e dispositivos associados e no estudo das propriedades de transporte de cargas nestes sistemas. As pesquisas são desenvolvidas com o apoio da FAPESP, CNPq e Petrobrás.

:: Laboratório ::

O semicondutor SnO₂ (tipo n) é um conhecido material que pode ser usado na fabricação de sensores de luz e particularmente é muito eficiente na faixa do ultravioleta (UV) tendo suas propriedades detectoras destacadas quando na forma de nanofios. Entretanto, existem alguns pontos fundamentais a serem investigados, como uma anomalia na resistividade em função da temperatura e a presença de estados meta-estáveis quando os dispositivos estão sob iluminação. Novas ideias apresentadas em um artigo recente permitiram um avanço do estudo e entendimento da ação de defeitos intrínsecos nas propriedades optoeletrônicas e de transporte em nanofios de SnO₂. Três centros emissores (vermelho, amarelo/laranja e verde) associados à presença de vacâncias foram detectados e investigados quanto à influência nas propriedades de dispositivos nanométricos, conseguindo explicar de forma satisfatória a anomalia da resistividade dos nanofios de SnO₂ em função da temperatura.

Veja mais em:

Influence of the metastable state (V₀⁽⁺⁺⁾) on the electronic properties of SnO2 nanowires under the influence of light,

Ivani M. Costa, Marcio D. Teodoro, Maria A. Zaghete e  Adenilson J. Chiquito, Journal of Applied Physics 128, 115702 (2020).

:: Notícias ::

:: As atividades no NanOLaB estão suspensas neste ano de 2020. Apenas manutenção operacional de alguns sistemas serão realizadas.

:: O trabalho "Study of persistent photoconductivity effect in SnO2 nanowire-based devices" de Ivani. M. Costa, Adryelle N. Arantes, Estácio P. Araújo, Marcio D. Teodoro e Adenilson J. Chiquito foi premiado com uma menção honrosa no I Simpósio de Pesquisa e Inovação em Materiais Funionais, realizado entre 23 e 24 de maio de 2019 na UFSCar.

:: Foi realizada no dia 15/03/2019 a defesa pública da Tese de Doutorado de Ivani Meneses Costa, membro do NanO LaB. A banca examinadora foi composta pelos professores Dra. Oliva Maria Berengue (UNESP-Guaratinguetá), Dra. Maria Aparecida Zaghete (UNESP-Araraquara), Dr. Valmor Masteralo (IFSC-USP), Dr. Elson Longo (DQ-UFSCar) e Dr. Adenilson J. Chiquito (DF-UFSCar). O trabalho apresentado, "Transporte eletrônico em nanofios de SnO₂ dopado com Sb: transição metal-isolante induzida pela dopagem e fotocondutividade persistente" versa sobre o estudo dos efeitos da dopagem de antimônio em nanofios de SnO₂ sendo observada uma transição metal-isolante descrita com base nos modelos de Mott e Anderson. O trabalho foi aprovado por unanimidade.

:: Foi realizada no 10/08/2018 a defesa pública da Dissertação de Mestrado de Gustavo Aparecido Lombardi, membro do NanOLaB. A banca examinadora foi composta pelos professores Dra. Maria A. Zaghete (UNESP-Araraquara), Dr. Maycon Motta (DF-UFSCar) e Dr. Adenilson J. Chiquito (DF-UFSCar). O trabalho, "Propriedades eletrônicas de nanofios de semicondutores de fosfeto de zinco Zn₃P₂" versa sobre a fabricação, caracterização e uso de nanofios de Zn₃P₂ em diferentes dispositivos, sendo aprovado unanimidade.